阴极荧光相关论文
A-plane GaN films are deposited on (302) \gamma-LiAlO2 substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Th......
从点光源均匀发光模型出发,重点导出了回转半椭球面镜的阴极荧光(Cathodoluminescence,简称CL)光谱有效收集效率ηλ(eff)的计算公......
使用A1N插入层方法由金属有机化学气相沉积（MOCVD）在GaN上生长的不同A1组分的AlxGa1-xN以及掺MgAl0.54Ga0.45N。使用阴极荧光的测试......
温度是影响物理、化学和生物系统的一个基本参数,在决定物质状态中起着至关重要的作用。对于纳米颗粒,温度不仅在合成过程中对材料......
在空间生长SI GaAs的某些部位有汽泡产生 ,经俄歇分析 ,汽泡表面约有 1 0nm的砷层 ,它从半绝缘砷化镓内部逸出 ,导致其成为半导体......
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SE......
