闩锁效应相关论文
介绍了一种通过因果图及DOE（试验设计）对ESD及LU测试中出现的复杂失效问题进行快速分析定位的方法。该方法通过因果图的制定,全面建......
功率半导体作为半导体行业中稳定的一部分,其发展十分重要。而其中绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件,作为结合了功率金属氧化物半导体场......
随着半导体制造工艺的不断进步,芯片的物理尺寸越来越小,静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）成为造成半导体器件失效的主要原因......
高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作,经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效,本文结合大量失效品分析......
非对称双向可控硅(ADDSCR)是在考虑了保护环结构之后,为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构,但是其维持电压较低,容易闩锁.为了......
针对双向可控硅(DDSCR)易发生闩锁效应的问题,提出了一种多路高维持电压DDSCR(MHVDDSCR).在器件的两边嵌入NMOS管,构成电流通路,抽......
最近产业界忽然刮起了一股产业联盟风,先是南车成立了中国IGBT技术创新与产业联盟,相隔一天北车又与ASMC在上海签约“建设战略产业......
分析了带同步整流开关的降压型DC-DC电源管理芯片,介绍了衬底噪声中闩锁效应的产生机理,提出加入死区时间控制同步整流开关信号的......
从半导体器件物理的角度分析了dVss/dt触发N阱CMOS器件的闩锁失效现象。当瞬时负电压脉冲峰值满足Vss_peak......
CMOS集成电路在实际的应用中会出现一些问题,问题主要表现在闩锁效应上,闩锁效应已经成为CMOS集成电路正常运作的障碍。特别是随着......
研究用增加多子保护环的方法抑制功率集成电路的闩锁效应,首次给出环距、环宽设计与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并比较了不同结深......
研究超高压集成电路中的寄生闩锁效应问题。针对采用外延技术的BCD工艺,给出外延层材料电阻率、工艺和结构参数变化与寄生闩锁结构......
本文详细地分析了LDD结构高温CMOS集成电路闩锁效应.文中提出了亚微米和深亚微米CMOS集成电路闩锁效应的模型.在该模型中,针对器件......
