沟槽栅FS IGBT（Field Stop Insulated Gate Bipolar Transistor）凭借导通饱和压降低、沟道密度高、栅极易驱动、正向阻断电压高等优......

半永磁材料是具有一定矫顽力和尽可能高的剩余磁通以及一定方形比(Br/Bs)的材料.多用于闩锁继电器、磁滞式马达、半固定记忆元件等......

针对5V电源的静电放电(ESD)防护,提出一种利用PMOS管分流的新型优化横向可控硅(PMOS-MLSCR).相比于传统MLSCR,PMOS-MLSCR具有更高......

可控硅(SCR)被广泛应用于片上静电放电(ESD)防护.由于SCR的低维持电压特性,闩锁问题一直是其应用于高压工艺ESD防护的主要问题.改......

对于半导体供应商而言,要对汽车应用的新IC设计进行合格验证,通过问锁免疫性测试是一项挑战.芯片设计人员可能需要在裸片上增加关......

本文提出空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管 (CI LIGBT) ,可有效控制高压下阳极区空穴注入 ,提高器件的抗闩锁性能 .数值模拟与......

介绍了平面栅电子注入增强型栅极晶体管(IEGT)的闩锁效应,讨论了温度对关键特性参数如通态压降、正向阻断电压及开关时间的影响.利......