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为了实现集成硅基光源, 研究了基于湿法表面处理的InP/SOI直接键合技术。采用稀释的HF溶液对InP晶片进行表面活化处理, 同时采用Pi......
为确保半导体桥点火器芯片引线键合质量,以引线键合工艺技术研究为出发点,分析了影响芯片引线键合质量的关键因素。通过正交试验设......
键合点根部损伤是Al丝超声键合工艺中最常见的问题之一,严重的根部损伤不仅使焊点的键合强度降低,甚至会使键合点失效。本文通过优......
对Si/Glass激光键合进行了有限元仿真,自主设计激光键合系统并进行了Si/Glass激光键合实验研究、测试与表征。以Si/Glass激光键合......
与Si材料相比,Ge材料具有更高的的电子和空穴迁移率,在1.3-1.5 μm通信通信波段具有更高的吸收系数。此外,Ge工艺与现如今成熟的Si......
为了提高MEMS陀螺的品质因数(Q值),提出了一种晶圆级真空封装工艺.先在陀螺盖帽晶圆上刻蚀出浅腔,然后在浅腔结构上制备钨(W)金属......
在讨论金-铝键合系统失效机理的基础上,对高温条件下金-铝键合系统接触电阻和键合强度衰变情况进行研究。给出了金-铝系统接触电阻......
围绕真空灭弧室关键技术--金属与陶瓷件间的封接,开展了新型封接工艺--DCB技术封接真空灭弧室的探索研究.对封接强度进行了研究与......
提出了一种新型的测试结构,对面积为微米量级下键合的最大抗扭强度进行了测试.实验设计一系列的单晶硅悬臂梁结构测试键合面积在微......
