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铜晶圆相关论文

胍离子对铜化学机械抛光的影响

对铜晶圆进行化学机械抛光(CMP),溶液组成和工艺条件为:胶体二氧化硅(平均粒径85nm)5%(质量分数),30%H2O25mL/L,胍离子(Gnd+,由碳......

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铜晶圆化学机械抛光胍离子去除速率表面粗糙度

阳离子型与非离子型表面活性剂的复配对阻挡层化学机械抛光的影响

通过化学机械抛光(CMP)对铜晶圆表面进行平坦化处理,研究了碱性抛光液中阳离子型表面活性剂FAOA和非离子型表面活性剂AEO复配对表......

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铜晶圆阻挡层化学机械抛光表面活性剂复配

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