退火机理相关论文
随着硅集成电路特征尺寸接近其物理极限，具有高迁移，且与硅工艺兼容性好的Ge成为下一代高性能集成电路的候选材料之一。然而由于Ge表......
从双极器件在快中子脉冲辐射下Frenkel缺陷的产生及其退火机理出发,推导出器件β在中子脉冲作用下随AF(t)和电荷浓度变化的数学模......
