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PVT法SiC单晶生长传热分析
研究了PVT法生长SiC过程中的传热行为,以优化生长条件、获得高质量单晶.该研究是针对坩埚盖(籽晶粘附于坩埚盖上)和炉盖之间的传热......
期刊
PVT法
SIC
晶体生长
碳化钙
坩埚
辐射热阻
传热量
crystal growth silicon carbide heat transfer
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