金属氧化物半导体纳米材料由于其制备方法简单、成本低、对各种气体有响应而广泛应用于气体传感领域。近年来,金属氧化物半导体气......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......