离轴照明相关论文
在高分辨光学光刻技术中,光瞳整形技术针对不同的掩模图形产生特定的光瞳光强分布模式,从而实现分辨力增强,获得更好的成像性能。......
离轴照明(OAI)作为一种重要的分辨力增强技术(RET),不仅可以提高光刻分辨力,而且对焦深(DOF)也有一定程度的改善。针对特定的掩模......
极紫外光刻照明系统是极紫外光刻机投影曝光系统的重要组成部分,它必须为掩模面提供均匀照明并实现多种离轴照明模式。目前主流的......
微光学元件以其效率高、体积小、重量轻、易于复制、可以实现多种变换功能等优点在现代科技中有着越来越广泛的应用。为拓展微光学......
讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术，分析了两种技术的原理，利用光刻模拟软件，针对不同线宽的......
本文讨论了光学光刻中的离轴照明技术.主要从改善光刻分辨率、增大焦深、提高空间像对比度等方面对离轴照明与传统照明作了比较,并......
研究了离轴照明对65 nm分辨率ArF浸没式光刻的影响.在3/4环形照明和3/4四极照明方式下,研究65 nm线宽的密集线条、半密集线条、孤......
针对现代光刻中，超大数值孔径的情况下，通过简单的傅里叶衍射理论模拟掩模的传递函数的方法不够精确，必须得考虑倾斜照明带来的阴影效......
针对45nm节点的需求,系统分析和研究了该节点不同周期图形的成像规律,并采用了不同的分辨率增强技术进行对比研究,从中分析出最适......
如何提高光刻的分辨率已成为超深亚微米集成电路设计和制造的关键技术.文章简要介绍了分辨率提高技术之一的离轴照明的原理及其构......
介绍了 193 nm光刻中的散射条技术,并利用标量衍射和傅里叶光学理论,对掩模和光瞳平面上衍射图形的空间频率进行了深入的分析,从理......
提出了一种全新的移相掩模--侧墙铬衰减型移相掩模(SCAPSM),相对于通常的衰减型移相掩模,其制造工艺仅多两步,却可以较大幅度提高......
禁止光学空间周期“Forbidden Pitch”是光学临近效应修正（0PC）中必须要面对并解决的问题之一．它主要出现在1．1～1．4倍（曝光波长／数值孔径）的......
本文探讨了用离轴照明技术提高光刻工艺容限的方法。通过数值孔径分别为０．５４和．４８透镜系统的实验数据介绍了该技术的优、缺；点，并讨论了其在......
针对极紫外投影光刻(Extreme Ultraviolet Lithography,简称EUVL)工作波长短的特点及由此带来的一些问题,对EUVL微缩投影物镜的结......
通过PROLITH光刻仿真软件研究了非理想照明光瞳对光刻成像质量的影响以及图形位置偏移量对光瞳偏心的敏感度随数值孔径NA和相干因......
研究了照明光瞳非对称性对光刻成像质量的影响。通过PROLITH软件计算了环形与四极照明条件下,光瞳非对称性对图形位置偏移量、曝光......
进入超深亚微米阶段后,集成电路制造工艺中普遍采用了亚波长光刻技术。然而随着特征尺寸逐渐接近光刻分辨率极限,制造过程中会发生......
随着微电子行业的急速发展,集成电路的特征尺寸不断缩小,对光刻分辨力的要求越来越高。传统投影光刻受光学系统衍射极限影响,分辨......
制造集成电路的关键要求,是对特征尺寸和缺陷的控制。但是,由于光的衍射行为的限制,传统光学成像的分辨力,大约只有所使用光波长的......
随着光刻极限不断向前发展、光刻分辨率不断进步和提高,光刻机投影物镜波像差已成为评价光刻成像质量最关键的检测指标之一。目前,......
先进节点逻辑集成电路制造是当前工业界的领先工艺。为实现接触（Contact）层的光刻工艺,需要从两个关键方面进行处理：解析度和全间距的......
