相变存储相关论文
随着摩尔定律的发展,基于MOS结构的存储器件逐渐逼近物理极限。同时,尺寸微缩和工艺迭代的成本壁垒迫使产业界寻找新的存储方案。......
自大数据时代以来,信息量的爆炸式增长,给数据的存储和处理提出了巨大的挑战,不断促使人们寻求低成本、高可靠性的高速的存储方案......
在非易失存储器领域和热电领域,硫系材料是最引人注目的材料。相变存储器利用亚稳态非晶相和亚稳态盐岩立方相之间的可逆快速相变......
相变存储器被认为是最有可能取代目前的SRAM、DRAM、FLASH等产品的下一代非易失性存储器之一[1]。该器件依赖于一种相变存储材料。......
存储器在半导体市场中占有重要的地位，仅DRAM(Dynamic Random．AccessMemory)和FLASH两种就占市场的15％，随着便携式电子设备的不断普及，......
为了提高相变存储器和DRAM所组成混合内存中PCM的耐久性,减少页面在PCM上的写操作,通过一个新公式结合写访问频率的统计和最近写访......
