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真空中冲击电压下硅半导体的泄漏电流及沿面闪络特性
在冲击电压下 ,通过在真空中对采用和未采用化学腐蚀表面处理的硅半导体的实验表明 ,试品的表面状况对其泄漏电流和沿面闪络特性有......
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硅半导体
泄漏电流
沿面闪络
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