电应力相关论文
氮化镓（GaN）是第三代半导体材料的典型代表,也是近年来研究的热点。与传统的Si材料相比,其饱和漂移速度高、禁带宽度大、临界击穿场......
针对碳化硅(SiC)逆变器高频高dv/dt脉冲激励下的Hairpin绕组高电应力容易造成绝缘损伤的问题,该文对一台电动汽车用Hairpin绕组永......
【摘要】 在电子设备中应用最广泛的是电子元器件，虽然其只是电子设备中最基本的组成部分，但却决定着整个电子系统。在实际的应用过......
第三代半导体材料氮化镓(GaN)因具有击穿电场高,禁带宽度大,电子迁移率高等特点,在高温高频、高功率军用电子以及5G通讯等领域有着......
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氮化镓(Ga N)作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、击穿场强高、耐高温、抗辐照等优异性能。特别是其与Al Ga N等材料可以形成具......
学位
GaN基半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和速度高、击穿电压大等良好的电学性能,在微波大功率和高压开关电路领域具有很大的发展潜......
学位
基于第三代半导体的材料优势,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波通信、电力控制、雷达航天等领域应用潜力巨大。欧姆接触是......
导弹系统所承受的环境应力是影响其可靠性的主要因素之一。本文论述了综合环境试验对防空导弹可靠性增长的作用、试验剖面与环境应......
通过对鱼雷电子产品环境应力筛选温度循环和机械振动两种方法的分析比较,提出了新的环境应力筛选条件和要求。实航试验证明,改进后......
电力电缆是电力系统中关键的一部分,电缆运行的可靠性对电力系统的正常运行发挥着决定性的作用,而电缆附件中电应力是否集中又在一......
科学技术水平不仅是衡量国防现代化程度的主要标志，更是影响军队战斗力的重要因素。面对全天候立体化作战需求，微光瞄准镜已成为夜间......
采用表沟p+多晶硅栅/PMOSFET代替埋沟n+多晶硅栅/PMOSFET具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点,因而在深......
我们知道荧光灯使用时间的长短主要取决于灯丝的寿命.灯丝上涂有电子发射材料,当温度在900～1000℃时才能充分发射电子,灯丝通过预热......
大功率脉冲功率电源通常由多个模块组成,连接电源与耗能装置的汇流排在电气性能和机械性能上均有很高要求。为此,针对MA级电磁轨道......
