源极相关论文
目前碳化硅(SiC)被广泛视为下一代功率器件的材料,因为它比硅的电压更高,损耗更低。然而,虽然碳化硅器件具有很大的发展前景,但该......
通常引起场效应晶体管(MOSFET)失效的主要原因是漏极-源极之间的电压(UDS)过高。电感负载的通断可使得场效应晶体管的UDS超过击穿......
准一维纳米材料，主要包括纳米线／棒、纳米管、纳米带、纳米同轴电缆、异质结和超晶格纳米线等。在这些材料中，Ⅱ—Ⅵ族的一维纳米材料......
