浮区法相关论文
氧化镓(β-Ga2O3)是一种超宽禁带氧化物半导体材料,其相关研究起源于日本.21世纪初,日本东北大学利用浮区法获得了多晶向的高质量......
本文使用目前国际最先进的4椭球反射腔式红外聚焦单晶炉（FZ-T-10000-H-VI-VP）,通过光浮区法对稀土过渡族氧化物LaCoO3体系进行了晶体......
生长晶体在发展高新技术和基础理论研究方面都有非常重要的意义,在国民经济可持续发展和国防建设中具有广泛而重要的应用。本文选......
采用光学浮区法生长了尺寸f（79 mm）×（3035 mm）的β-Ga2O3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga2O3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不......
报道了激光二极管抽运下的高效率Yb:YGG连续及锁模激光器。实验中采用光学浮区法生长的高质量Yb:YGG激光晶体,在6.7 W的入射抽运功......
InxGa1-xSb三元合金半导体晶体作为一种新型的半导体材料,具有晶格常数和吸收波长可调节的特性,其晶格常数和吸收波长可以分别在6.......
学位
在现有的工程实践中,通常采用浮区法晶体生长技术制备高质量晶体,用于模拟浮区法晶体生长过程的科学模型称为液桥,周围气体的流动......
(InNb)_(0.1)Ti_(0.9)O_2不仅具有高介电常数和低介电损耗,而且温度稳定性良好,因此被视为一种有望替代传统介电材料的新型巨介电......
