GaN半导体为直接带隙半导体材料,且具备禁带宽度宽、击穿电压大和饱和电子漂移速度高等特性,非常适用于半导体发光器件和高频大功......

GaN作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、饱和电子漂移速度高等诸多优点,是制备高频大功率电子器件的理想材料。GaN......

利用金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)在SiC衬底上外延生长了N-polar GaN材料,采用传输线模型(TLM)分析了Ti/Al/Ni/Au金属体系在......

为了获得高效率的AlGaN基深紫外发光二极管,提出了具有渐变量子垒的氮极性结构来调控载流子的传输.通过氮极性结构在p型电子阻挡层......