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微电子工业迅速发展,半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小。SiO2作为MOSFET的栅介质材料已不能满足技术发展的要求。因此,需要寻......
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高K材料由于其在MOS器件中可代替SiO2已经成为当前的研究热点之一。稀土金属氧化物也是栅介质层的候选材料之一。本文主要研究氧化......
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