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AlGaN材料是一种直接带隙第三代宽禁带半导体材料，其禁带宽度可通过改变AlGaN材料中Al元素的掺入量从3.4eV到6.2eV连续可调，是当前制......
本文在经过预处理的蓝宝石衬底上,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)无掩模横向外延生长GaN薄膜。并与同样生长条件下,在未经腐蚀预......
分别考虑气相扩散和掩膜表面扩散过程,建立了金属有机化学气相沉积条件下横向外延过生长的速率模型.在砷化镓衬底上外延磷化铟条件......
