极化电荷相关论文
Two-Dimensional Piezoelectric Semiconductor Materials with Coupling of Piezoelectric and Semiconduct
在非中心对称材料中,利用应变会产生压电电荷,压电效应已经广泛应用于机电驱动、传感和能量采集。传统的压电材料(如PZT或PVDF)一......
无外加氟施主情况下,在采用聚四氟乙烯面预电离板的准分子激光器中,分别用摄谱法和光电转换扫描法对放电激发Kr/Ne混合气体产生的有关紫外......
电子束沿多层膜表面运动时会产生自发辐射。分析自发辐射的精确波长公式、自发辐射中电子束品质的变化规律和电子自发辐射的功率后......
通过数值模拟研究了各层参数对极化调控的背入射异质结分离吸收倍增层型AlGaN基雪崩光电二极管(AP-Ds)性能的影响,并详细分析相关物理......
GaN作为第三代半导体材料,因其具有宽禁带,高迁移率,低本征载流子浓度等性质而成为一个非常瞩目的研究热点。常规单层异质结器件凭......
半导体材料的电子结构调控工程可以拓展应用范围,尤其是提高其在能源领域中的应用性能。目前人们已发展出多种物理和化学方法对材......
学习了真空中的静电场一章,接着学习导体及电介质在电场中存在时,它们与电场的相互影响、相互作用,对于学习电介质这部分教材,学......
介绍了一种新型静电质量流量测量方法 ,该方法使粉体流经预先设置的电场 ,在粉体表面产生与粉体质量流量间有一确定关系的极化电荷......
作为第三代半导体材料中的佼佼者-氮化镓具有非常优越的材料特性,成为了国内外研究的热点,被广泛适用于电力电子领域。随着对氮化镓......
基于静电场高斯定理,推出了一个结论.该结论不仅适用于均匀电介质充满电场不为零的空间,而且也适用于电介质不均匀,但电介质的极化......
研究发展了用肖特基电容 电压特性数值模拟确定调制掺杂AlxGa1 -xN GaN异质结中极化电荷的方法 .在调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N......

