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效率衰退相关论文

俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管效率衰退的影响

研究了俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管(DUV LED)效率衰退的影响。结果表明,当俄歇复合系数从10-32 cm6·s-1增大......

期刊

深紫外发光二极管俄歇复合电子泄漏空穴注入效率衰退

准备层结构对InGaN/Si基LED性能影响研究

随着外延技术和结构设计不断的进步与突破,硅衬底InGaN基LED采用InGaN/GaN多量子阱(MQWs)作为有源区理论上可以覆盖从近紫外到近红......

学位

InGaN基LED V形坑准备层抗静电效率衰退老化机理

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