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效率衰减相关论文
GaN基LED量子势垒结构对效率衰减影响的研究
氮化镓(Gallium Nitride,GaN)是一种宽禁带、直接带隙半导体材料,常温下GaN的禁带宽度大约为3.4 eV。并且GaN基材料带隙宽度可调,......
学位
发光二极管
效率衰减
量子势垒
极化效应
电子泄漏
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