采用快速退火工艺在Pt／Ti／SiO2／p-Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜。研究了退火温度对薄膜微观结构、铁电特性及介电性能的影响。研......

采用MOCVD工艺在Ts=440℃条件下制备组分Bi/Ti=1.44的非晶态薄膜,经过快速退火处理,制备高度择优取向的Bi4Ti3O12 铁电薄膜,在Ts=4......