多孔硅是一种很有前途的场发射材料，研究多孔硅的场发射有着实际的意义。模仿制备了具有弹道电子发射的特殊结构的多孔硅，测试了其场......

在n-Si(4～5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极.介绍了nc-Si量子点冷阴极......