针对红外探测器制作特性的要求，改善制作材料的物理性能，为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜（由MOCVD生长）在12~300 K温度范......

以MgZnO/ZnO及Al_2O_3/SrTiO_3异质结为代表的氧化物异质结界面处二维电子气(2DEG)的发现,为高电子迁移率晶体管(HEMT)、高温高频......

非晶InGaZnO_4(a-IGZO)薄膜兼具高可见光透过率(80%avgT(29))、高迁移率(m(28)10~100 cm~2V-1s-1)、低制备温度和较好的均一性,作......