图形衬底相关论文
硅基自组织锗量子点（Ge量子点）因其与互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS）工艺兼容和对应于通讯波段......
以蓝宝石（Al2O3）为衬底材料，通过软件设计和模拟，研究了图形衬底（PS）的图案选择、图形原胞尺寸和图形原胞间距大小3个参数对LED出光效率......
以纳米岛为代表的低维半导体材料由于其独特的性能而受到国内外学者的广泛关注,并在纳米岛发光二极管、纳米岛激光器、纳米岛红外......
由于宽的禁带宽度(3.39 eV)和高的击穿电场,作为第三代化合物半导体的代表,氮化镓(GaN)在高功率和高频器件上已经显示出巨大的应用......
采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和......
