器件制作相关论文
介绍了GaSb单晶的制备方法,包括提拉(CZ)法、垂直布里奇曼(VB)法、水平布里奇曼(HB)法、垂直定向凝固(VDS)法和垂直梯度冷凝(VGF)......
本文报道了一种工艺简单可靠、利用钨丝掩膜质子轰击（见Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．Ｓｅｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，１９９６，１１∶１７３４～１７３６）方法制成的室温准连续运转可见光垂直腔面发射激光器。激射波长为６６０ｎｍ。外延片......
TiNi形状记忆薄膜光刻工艺是此类MEMS器件制作的关键技术之一。研究了剥离工艺(lift|off)用于TiNi薄膜图形化的可行性，并首次利用溅......
采用真空热蒸镀方法,制备了四种Delta掺杂结构OLED器件,其结构为:ITO/m-MTDATA(50nm)/LiF(xnm)/NPB(10nm)/Alq(5nm)/C545T(0.05nm)......
随着集成电路日新月异地发展,传统的基于电子通信传输的电互连技术,由于其与生俱来的局限性(特别是RC电阻电容延迟效应的限制),严......
三维光存储是数据存储领域一个重要的研究方向,本文研究了一种基于波导多层存储原理的波导多层光卡的相关理论和技术问题。通过对......
