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半极性GaN相关论文
利用新型图形化衬底与SiN_x插入层提高GaN外延层晶体质量的相关设计
随着氮化镓(Ga N)基发光二极管(LED)应用越发广泛,对器件性能的要求也越来越高,需要我们制备出高质量的Ga N外延薄膜以提升LED器件的光......
学位
缺陷
横向外延过生长
半极性GaN
图形化蓝宝石衬底
原位沉积SiN_x插入层
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