报道了研制的SiC衬底AlGaN/GaN HEMT微带结构微波功率MMIC,芯片工艺采用凹槽栅场板结构提高AlGaN/GaN HEMTs的微波功率特性.S参数......

随着现代电子产品的快速发展,电子产品呈现出一种封装密度上升化、尺寸小型化以及环境多样化的发展趋势。系统级封装电路由于器件......

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