低开关损耗相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

低开关损耗相关论文

SiC MOSFET低开关损耗驱动电路的研究与设计

电力电子转换设备的性能与其核心功率开关器件息息相关,传统硅基器件的发展已逼近其材料的物理极限,成为当前限制电力电子转换设备......

学位

SiC MOSFET 驱动电路开关特性低开关损耗

半导体技术的新挑战：封装与系统设置

提高功率密度和性能,同时降低成本,从来都是功率半导体技术的前进方向。本文指出,在可预见的未来,这个趋势还将继续下去,并且新型......

期刊

功率半导体技术封装技术设置系统半导体材料高电流密度低开关损耗发展趋势

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