用低压 MOCVD系统在 ( 1 1 1 ) Si衬底上 ,用两步生长方法 (改变 / 流量比 )在 3 0 0～ 4 0 0℃时外延生长了 Zn S单晶薄膜。随着衬......

以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe......