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不同N源相关论文
不同N源制备Al-N共掺Zn<,1-x>Mg<,x>O薄膜及其性能研究
ZnO是Ⅱ-Ⅳ族宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度约3.3 eV,激子结合能高达60meV。目前,ZnO是光电材料领域的研究热点,其p型电导掺杂和能......
学位
p-Zn1-xMgxO薄膜
Al-N共掺杂技术
直流反应磁控溅射方法
不同N源
电学性能
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