β-Ga2O3纳米线相关论文
作为一种新的宽紧带氧化物半导体材料,单斜晶体结构氧化镓的禁带宽度为4.9eV,在制作高性能的功率器件方面有很高的潜在应用价值。......
学位
使用磁控溅射方法制备了β-Ga2O3纳米线,并研究了催化性能.制备的样品具有很好的结晶度,衍射峰位对应β相Ga2O3.β-Ga2O3纳米线形......
综述了β-Ga2O3纳米线的研究进展,包括纳米线的制备工艺、生长机理、掺杂研究以及催化剂的生长,介绍了β-Ga2O3纳米线在日盲探测器......
期刊
准一维纳米材料,如纳米管、纳米线、纳米带等,以其特殊的物理和化学性质,以及在纳米器件、光电子器件、微传感器等多方面潜在的应......
