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电子束蒸发法制备Zn(O,S)薄膜及其在SnS薄膜太阳能电池上的Ⅰ-Ⅴ特性研究
采用电子束蒸发法结合氧化工艺制备得到多晶Zn(O,S)薄膜,在可见光范围内,其平均透射率约为85%,禁带宽度为3.35eV;制备得到结构为gla......
期刊
电子束蒸发法
Zn(O
S)
薄膜太阳能电池
Ⅰ-Ⅴ特性
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