插入损耗是在测量中是一个重要的参量。本文在TRL校准原理的基础上,提出一种通过测量Thru-line和L-line的S参数,并能准确测量传输......

第三代半导体氮化镓,具有高电子迁移率、优异的禁带宽度、高工作频率、大击穿电压、高饱和电子速度等优点,成为制备微波器件的优异......

低噪声放大器作为终端接收设备中最靠近接收天线的部分，它的性能会直接影响终端接收设备的性能。然而，在设计低噪声放大器的过程中会......

吸波材料不仅被广泛的应用于暗室测试、电磁屏蔽、舰艇等民用方面，而且还被广泛应用于雷达隐身技术、电子对抗技术等军事领域。结构......

薄膜体声波谐振器(Thin film bulk acoustic resonator,FBAR)具有工作频率高、尺寸小、品质因数高、功率容量大、换能效率高及与IC......