近年来各种实验表明,Ar+轰击SrTiO3会出现准二维电子气（Q2DEG）,这使得Sr TiO3从绝缘态变为半导体成为可能。传统栅氧化物在发展过程......

研究了γ射线辐照对130 nm部分耗尽(Partially Depleted, PD)绝缘体上硅(Silicon on Insulator, SOI)工艺MOS器件栅氧经时击穿(Tim......

碳化硅(SiC)作为一种优异的第三代半导体材料,具有很多优良的电学和物理特性:禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、载流子饱和漂移......

电容作为一种主要的无源器件在集成电路的设计应用中越来越多。而MIM（Metal Insulator Metal）电容凭借其低寄生电容,低接触电阻的优......

该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......

在研究了MOSFET栅氧化层介质经时击穿物理机制的基础上 ,提出了氧化层击穿的逾渗模型 .认为氧化层的击穿是E′心和氧空位等深能级......