Ⅳ-Ⅵ族碲化物是指由Ⅳ族的Ge、Sn、Pb元素与Ⅵ族的Te构成的化合物,它们属于窄带隙半导体;Ⅱ-Ⅵ族碲化物则是指由Ⅱ族的Zn、Cd、Hg......

在低温(1.5K-25K)和强磁场(0-10T)条件下,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂A1GaN/GaN异质结构进行磁输运测量.在一定温度范围......

研究了双子带占据的In_(0·52)Al_(0·48)As/In_(0·53)Ga_(0·47)As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应和霍耳效......

在掺Si的GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)结构中,得到μ2K=1·78×106cm2/(V·s)的高迁移率.在低温(2K)和高磁场(6T)的条件下,对样品......

在低温(1.5K-25K)和强磁场(0-10T)条件下,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂A1GaN/GaN异质结构进行磁输运测量.在一定温度范围......

研究了Si重δ掺杂In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应.研究表明,强......