功率半导体器件作为提升电能利用效率的关键之所在,将为我国经济插上绿色环保、高效智能的翅膀飞向世界之巅。SOI LIGBT凭借更强的......

绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(Silicon On Insulator-Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,SOI-LIGBT)具有隔离效果好......

提出了一种逆导型(RC) SOI-LIGBT.通过在LIGBT阳极发射结反向并联一个肖特基二极管,在没有增大LIGBT正向导通压降的情况下,消除了......

为了改善LIGBT的关断特性,已有一种采用PMOS管来控制LIGBT阳极空穴注入的方法.在此基础上,提出了一种具有载流子存储效应的高速SOI......

提出了一种新型双沟槽SOI-LIGBT结构.通过缩短高压互连线(HVI)下方沟槽的横向长度,增大了双沟槽总的反向耐压.在新型LIGBT漂移区中......