RF-PECVD相关论文
用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在硅衬底上沉积类金刚石(DLC)薄膜,通过控制甲烷(CH4)与氩气(Ar)流量的比值(VCH4/VAr......
采用射频等离子体化学气相沉积技术(RF-PECVD)在单晶硅片衬底上制备了镶嵌有纳米非晶硅颗粒的氮化硅薄膜.实验表明:制备的氮化硅薄......
采用RF PECVD方法,在P a SiC:H薄膜沉积技术基础上,通过逐步减小碳、硼的掺杂浓度,增大氢稀释率,使材料从非晶态向微晶态转变,在获......
对RF-PECVD技术沉积p-nc-Si:H薄膜材料进行了研究.随着功率的增大材料的晶化率增大.B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料......
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜.研究了不同基片温度对薄膜沉积速率、电阻率、......
本文介绍了采用RF-PECVD法在3Cr13不锈钢基体圆片上沉积制备类金刚石多层膜,其内层薄膜为掺Si的过渡层,外层为不同厚度的在50nm～100......
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜.为获得高电......
