P型ZnO相关论文
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带（3.37eV）化合物半导体材料。具有较高的激子束缚能（室温下为60meV）和光增益系数320cm-1,是一种理想的短......
氧化锌(ZnO)是一种历史悠久的材料,由于其微观结构非中心对称,最初被预测可以应用于压电和非线性光学领域,又因为它在室温下具有宽......
用射频溅射法在蓝宝石和硅衬底上制备出磷、镓共掺杂的ZnO薄膜,经过过真空退火薄膜可变为P型.射频溅射时所用ZnO靶中掺入的PO和GaO......
以N2为P型掺杂源,利用射频磁控溅射技术,通过改变O2:N2比制备了不同N掺杂量的P型ZnO薄膜,详细研究分析了N掺杂ZnO薄膜的PL谱及电学......
利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了ZnO薄膜的N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段......
有效受主的温度;XPS能谱证明了Mn2+、N3-离子的掺入;在热退火作用下,部分间隙位N离子达到电激活通过扩散进入O空位,形成N-Zn或N-Mn......
采用NH3气氛处理直流/射频共溅射方法制得的ZnO:Al薄膜,从而获得Al+N共掺p型ZnO薄膜.XRD,场发射扫描电子显微镜测试及Hall效应测试......
