P型相关论文
超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质，在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p......
现代光电子产品和能源技术都大量使用透明导电氧化物（TCO）薄膜.由于太阳能电池、平板显示器、发光二极管、短波长激光器、节能玻璃窗......
热电材料是可以将热能和电能相互转换的功能材料,在余热回收中发挥着至关重要的作用。氧化锌（ZnO）因为Seebeck系数高（85℃时为-360 μ......
目的 利用硝酸甘油实验性偏头痛大鼠模型探讨P/Q型钙离子通道在偏头痛发病机制中的作用.方法 20只sD大鼠(雌雄各半)随机分为生理盐......
利用热蒸发物理气相沉积法在300K的硅基底上制备了p型多晶PbSe薄膜,研究了氧敏化过程对其微观结构和电性能的影响。经XRD、XPS和SE......
氧化锌(ZnO)是一种宽禁带半导体,具有机电耦合性能良好、激子束缚能高等特点,而且ZnO原料易得,成本低且无毒。这些优异性能使其在......
氧化物半导体薄膜晶体管(thin film transistor,简称TFT)载流子迁移率高(～1-100 cm2V-1s-1),可见光区透明性好,沉积温度低、因此可......
随着化石能源危机日益严重,热电材料越来越受到人们的广泛关注。Mg2X(X=Si,Ge,Sn)及其固溶体属于一种环境友好的中温(400800 K)热......
目的 利用硝酸甘油实验性偏头痛大鼠模型探讨P/Q型钙离子通道在偏头痛发病机制中的作用.方法 20只sD大鼠(雌雄各半)随机分为生理盐......
本期带给读者一款样式特别的拖拉机模型——JOHN DEERE 620 LP。说它特别,一是在拖拉机的车头部分隆起一个圆柱形的缸体,二是在620......
ZnO是一种具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙半导体材料。由于ZnO薄膜在压电、光电、热电、铁电等诸多方面都具有优异的性能，被广泛应......
采用直流与射频双靶共溅射的方法在玻璃衬底上制备Cu掺杂的ZnO薄膜，并研究了Cu的溅射功率以及氧分压对薄膜结构和光电性能的影响，利......
研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0 13Ga0 87N的生长工艺 ,包括掺杂剂量和热退火条件 ,对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P......
在分析了热电材料的发展背景和研究理论的基础rn上，采用热压法制备出单体和双层具有不同扩散势垒的 (Bi)1-0.850.8)与PbTe体系二元r......
期刊
采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变。利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品......
结合p型有限元方程组的系数矩阵具有对称性、正定性、稀疏性和阶谱性等特点,用修正的对称逐步超松弛预处理共轭梯度法来求解大规模......
采用SnO2和Al靶，通过射频(RF)溅射在石英基体上制备透明p型SnO2/Al/SnO2导电复合薄膜。沉积薄膜在500°C进行不同时间(1～8 h)退火处......
通过氮气等离子体辅助脉冲激光沉积(PLD)技术制备了氮掺杂氧化锌(ZnO:N)薄膜.经过低温快速热退火(RTA)处理后,ZnO:N薄膜呈现p型导......
