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PEMOCVD相关论文
GaN在Si(001)上的ECR等离子体增强MOCVD直接生长研究
研究了用电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机物化学气相沉积(PEMOCVD)技术在Si(001)衬底上,低温(620~720℃)下GaN薄膜的直接外......
期刊
PEMOCVD
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PEMOCVD
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RHEED原位监测的PEMOCVD方法及GaN基薄膜低温生长
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学位
PEMOCVD
反射高能电子衍射
氮化镓
氮化铝
等离子体
电子回旋共振
低温生长
原位监测
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