Invar合金相关论文
SiC陶瓷具有优越的力学性能,良好热传导能力,较低的线膨胀系数以及较好的热稳定性、耐磨性、耐腐蚀性和抗蠕变性,是一种理想的高温......
采用Ag Cu Ti活性钎料对Invar合金和Si3N4陶瓷进行钎焊连接,研究了接头界面组织及其形成机制,分析了钎焊工艺参数对接头界面结构和......
采用钴基纳米复合粉末为熔覆材料,利用激光熔覆方法,在INVAR合金表面制备复合涂层。其中,熔覆材料包括:纳米WC、VC、Cr_3C_2粉末和......
导弹是国防领域的重要武器,导弹天线罩是其重要组成部分,其需要具备介电性能好、抗热震、热膨胀系数低等特性,多孔Si3N4陶瓷作为天......
采用商用FeNi30及FeNi50合金粉为原料通过机械合金化(MA)合成纳米晶Invar合金(FeNi36)粉体,研究了不同球磨时间的Invar合金粉体的......
多孔Si3N4陶瓷密度较低，具有良好的介电性能和一定的承载能力，是导弹天线罩的理想材料。由于陶瓷材料本身加工性能较差，难以直接进行......
随着科学技术的不断进步，制造水平的不断提高，电路板的集成度逐年升高，单位面积的发热率快速上升，对电子封装材料的性能提出了更严苛的......
Si O2f/Si O2复合材料韧性好、抗热冲击性能优良,是天线罩的理想材料,Invar合金在室温范围内具有较低的热膨胀系数,成为了天线罩内......
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