InAS相关论文
以GaAs纳米线为代表的III-V族化合物半导体材料凭借着载流子迁移率高、热导率高、易于掺杂以及带隙可调节等优势，在纳米光电探测器......
利用分子束外延生长InAs单量子点样品,温度为5K时,测量了单量子点中单、双激子自发辐射的荧光(PL)光谱.研究了单、双激子发光强度......
利用MBE的方法在晶格失配的GaAs衬底上制备了新型红外探测材料InAs0.07Sb0.93薄膜。并利用电子束刻蚀的方法在InAs0.07Sb0.93薄膜......
围绕锗基InAs量子点激光器,开展了激光器腔面失效及再生的研究。研究并分析了灾变性光学镜面损伤产生的机理及其对激光器腔面的影......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明......
InAs quantum dots (QDs) grown on InxGa1-xAs/InP matrix by low pressure metal organic vapor phase epitaxy (LP-MOVPE) in n......
研究了p型(100)InAs在不同中心波长飞秒激发光(750-850 nm)作用下的太赫兹(THz)波辐射特性.这种太赫兹辐射的光谱性质与光学Dember......
通过X线衍射分析和位错腐蚀,发现在GaSb(100)晶片的中心区域容易形成呈枝蔓状分布的高密度位错聚集区,这些位错引起严重的晶格畸变......
