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第三代半导体中氮化铟（In N）、氮化镓（Ga N）、氮化铝（Al N）和由其组成的多元合金化合物等III族氮化物的研究最为广泛,该类材料统称为Ga N......
采用蓝宝石图形衬底技术在金属有机物化学气相淀积（MOCVD）系统中制备了Mg掺杂的与GaN晶格匹配的InAlN。通过改变Al源、Mg源的掺杂量......
在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中,锑化铟(InSb)基化合物半导体材料具有最高的常温载流子迁移率和最小的带隙,在电场作用下具有优异的电子输......
作为新一代微电子器件和光电子器件的新型材料,III族氮化物半导体成为目前全球半导体研究的前沿和热点。相比于第一代Si和第二代Ga......
