GaAs衬底相关论文
用含Ｚｎ的固态杂质源，在化合物半导体ＧａＡｓ基片上进行了连续波（ＣＷ）１０．６μｍ激光诱导扩散，做出了Ｐ－Ｎ结。分别利用扫描电子显微镜和二次离子质谱仪对扩散样品......
利用１．０６μｍ脉冲Ｎｄ∶ＹＡＧ激光，以含Ｚｎ的固态杂质源在化合物半导体ＧａＡｓ基片上进行诱导扩散，作出了Ｐ－Ｎ结。获得了亚微米的扩散结结深及１０２０ｃｍ－３量级的表面掺杂浓度，并......
Ga As衬底与外延层质量 ,尤其是晶体的完整性严重影响着以其为材料的半导体器件的性能 ,而超声 AB腐蚀法是一种能准确快速的显示 G......
当今信息社会,更大的储存容量、更快的读写速度、更高的数据安全性及更低的功耗是人们对存储器性能的要求,这就使得存储器件的尺寸......
