【摘 要】
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离子注入形成的无定形硅在可形成硅化物杂质镍作用下，促使无定形层硅在低温（４３０℃）时发生了固相外延生长。注入杂质镍浓度为１×１０１２－２．５×１０１７Ｎｉ／ｃｍ２。卢瑟福背散射和沟道（ＲＢＳ－Ｃ）测量表明，６个量级剂量注入并经
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离子注入形成的无定形硅在可形成硅化物杂质镍作用下，促使无定形层硅在低温（４３０℃）时发生了固相外延生长。注入杂质镍浓度为１×１０１２－２．５×１０１７Ｎｉ／ｃｍ２。卢瑟福背散射和沟道（ＲＢＳ－Ｃ）测量表明，６个量级剂量注入并经４３０℃退火后的样品都发生了不同程度的固相外延生长，且比通常固相外延生长约加快了二个数量级，其外延生长速度与镍浓度相关。
The amorphous silicon formed by ion implantation promotes the solid-phase epitaxial growth of the amorphous silicon layer at low temperature (430 ° C) under the action of silicide impurity nickel. Impurity implantation nickel concentration of 1 × 1012-2.5 × 1017Ni / cm2. Rutherford backscattering and channeling (RBS-C) measurements show that all samples annealed at 430 ℃ have different degrees of solid-phase epitaxy and are faster than the normal solid-phase epitaxy Two orders of magnitude, its epitaxial growth rate and nickel concentration.
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