【摘 要】
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利用离子束对光导HgCdTe芯片阳极氧化膜、CrΑAu电极和HgCdTe芯片的成形进行刻蚀,要求HgCdTe芯片表面温度不能超过80℃
The ion beam HgCdTe chip anodized film, CrAAu electrode and HgCdTe chip et
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利用离子束对光导HgCdTe芯片阳极氧化膜、CrΑAu电极和HgCdTe芯片的成形进行刻蚀,要求HgCdTe芯片表面温度不能超过80℃
The ion beam HgCdTe chip anodized film, CrAAu electrode and HgCdTe chip etching, requiring HgCdTe chip surface temperature can not exceed 80 ℃
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