【摘 要】
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据《日经微电子》2008年第12期报道,SMIC公司研发了0.11μm的CMOS传感器工艺制造技术。作为布线层的金属可使用铝(Al)和铜(Cu)。该公司已经采用0.11μm工艺技术进行试生产,并
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据《日经微电子》2008年第12期报道,SMIC公司研发了0.11μm的CMOS传感器工艺制造技术。作为布线层的金属可使用铝(Al)和铜(Cu)。该公司已经采用0.11μm工艺技术进行试生产,并应用于200mm和300mm晶圆的制程中。SMIC称,研发的新工艺可以实现比原来的产品具有更高分辨率、更低噪声
According to “Nikkei Microelectronics” No. 12 in 2008 reported that SMIC company developed 0.11μm CMOS sensor technology manufacturing technology. As the metal of the wiring layer, aluminum (Al) and copper (Cu) can be used. The company has been using 0.11μm process technology for trial production, and used in 200mm and 300mm wafer process. SMIC said that the new technology developed can achieve higher resolution than the original product, lower noise
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