具有超低导通电阻阶梯槽型氧化边VDMOS新结构

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mi33123

【摘要】

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基于国际上Liang Y C提出的侧氧调制思想,提出了一种具有阶梯槽型氧化边VDMOS新结构.新结构通过阶梯侧氧调制了VDMOS高阻漂移区的电场分布,并增强了电荷补偿效应.在低于300V

【作者】

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段宝兴杨银堂张波李肇基

【机构】

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西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年4期

【关键词】

：

阶梯氧化边 VDMOS 击穿电压导通电阻 step oxide-bypassed VDMOS breakdown voltage specific on-re

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基于国际上Liang Y C提出的侧氧调制思想,提出了一种具有阶梯槽型氧化边VDMOS新结构.新结构通过阶梯侧氧调制了VDMOS高阻漂移区的电场分布,并增强了电荷补偿效应.在低于300V击穿电压条件下这种结构使VDMOS具有超低的比导通电阻.分析结果表明：较Liang Y C提出的一般槽型氧化边结构,器件击穿电压提高不小于20%的同时,比导通电阻降低40%-60%.

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