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详细讨论了基于CMOS工艺宽带片上巴伦的实现．首先分析了应当采用的结构及参数化版图．然后给出了一个宽带集总元件等效电路模型，该模型考虑了各种必须考虑的物理效应．通过采用物理公式与优化拟合相结合的方法提取了模型参数，以保证模型在很宽频带范围内具有较高精度．最后，采用台湾半导体制造有限公司（TSMC）提供的0．13μm混合信号／射频CMOS工艺实际制作了两个具有不同几何参数的巴伦，并使用Agilent E8363B矢量网络分析仪测量了S参数．测量结果表明在高达毫米波频段范围内，模型仿真结果与测试结果符合得很好