GaAs光电阴极制备工艺的俄歇分析

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我们在一台制作第三代象增强器的超高真空系统中安装了俄歇(Auger)能谱仪,以其对GaAs光电阴极的制备过程进行在线监测分析,其中包括选择性腐蚀过程的俄歇观测,阴极激活前清洁措施的效果评价和Cs-O激活过程中As/Ga俄歇信号比对光电灵敏度的影响,Cs源纯度的分析及对光电发射的影响。根据分析结果,激活出了1000μA/lm的反射式光电阴极和500μA/lm的透射式光电阴极。 We installed an Auger spectrometer in an ultra-high vacuum system that made the third generation of image intensifier for on-line monitoring of the preparation of GaAs photocathodes, including the selective etching process in Russia Observations on the effect of clean-up before cathodic activation and on the sensitivity of As / Ga Auger signals to Cs-O activation, the analysis of Cs source purity, and their effect on photoemission. Based on the results of the analysis, a reflective photocathode of 1000 μA / lm and a transmissive photocathode of 500 μA / lm were activated.
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